【欧宝电竞】AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

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【欧宝电竞】AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

本文摘要：目前的智能手机广泛构建了处理器SoC和内存（DRAM）的填充式PCB（PoP），从AMD日前发布的信息来看，PC产品也未来将会构建类似于的技术。在RiceOil＆Gas高性能计算出来会议上，AMD高级副总裁ForrestNorrod讲解，他们于是以第一时间3DPCB技术，目标是将DRAM／SRAM（即内存等）和处理器（CPU／GPU）通过TSV（硅穿孔）的方式统合在一颗芯片中。

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目前的智能手机广泛构建了处理器SoC和内存（DRAM）的填充式PCB（PoP），从AMD日前发布的信息来看，PC产品也未来将会构建类似于的技术。在RiceOil＆Gas高性能计算出来会议上，AMD高级副总裁ForrestNorrod讲解，他们于是以第一时间3DPCB技术，目标是将DRAM／SRAM（即内存等）和处理器（CPU／GPU）通过TSV（硅穿孔）的方式统合在一颗芯片中。只不过此前，AMD就首度发售了HBMRAM产品，构建了GPU芯片和RAM芯片统合PCB，但那意味着归属于2．5D方案。3D填充的益处在于延长了电流传送路径，也就是不会降低功耗。

不过，3DPCB的挑战在于如何掌控痉挛。失望的是，AMD未发布更加多技术细节。AMD称之为，虽然光刻工艺在磨练，但是频率甚至要开始走下坡路，必须一些新的设计助力。只不过Intel今年也发布了取名为Foveros的3D芯片PCB技术，将22nmI／O基板、10nmSunnyCore和四核Atom统合在一起，功耗仅有7瓦。

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